秦總，有這筆錢就足夠了，一年之內(nèi)，我們就能搞出193納米的arf光刻機，如果使用多重曝光技術(shù)，這種光刻機可以一直用到90納米，但是，在下一代65納米的工藝節(jié)點上，這種光刻機就被限制住了。”

大部分人都知道，制造芯片會被光刻機卡脖子，但是究竟怎么卡脖子，并不是很清楚。

制造芯片，本質(zhì)上就是在硅片上刻蝕電路，經(jīng)過多年發(fā)展，光刻法已經(jīng)徹底成熟了，這就和照相機一樣，在硅片上抹一層光刻膠，然后用光刻機把對應(yīng)的光刻膠燒掉，就像是照相機底片感光一樣，從而把電路圖做出來。

沒錯，光刻機只是像是復(fù)印機一樣，把電路圖復(fù)制在硅片上，接下來還會有刻蝕機，根據(jù)光刻出來的電路圖，在硅片上用化學(xué)手段做出mos管來，從而做出一個個電路。

光刻是最重要的一步，光刻機的技術(shù)進(jìn)步，也會推動芯片制造工藝的進(jìn)步。

而光刻機之中，光源的波長很重要。

早些年使用的是紫外光源，從波長436納米的g線到波長365納米的i線，發(fā)展到了深紫外光源，也就是波長248納米的krf和波長193納米的arf，到這里，技術(shù)止步了！

“目前193納米的光源，使用多次曝光技術(shù)，可以把工藝推進(jìn)到90納米，幾乎所有人都認(rèn)為，193納米的光刻機，是無法延伸到65納米技術(shù)節(jié)點的，如果繼續(xù)改進(jìn)制程，那就需要在光源上做手腳?！?

別看徐教授這幾年在造光盤，但是，他從來就沒有離開過自己真正喜愛的光刻機！一直都在關(guān)注光刻機技術(shù)的進(jìn)步！

己方現(xiàn)在可以造arf光源的光刻機，接下來的技術(shù)路線怎么解決？

光刻機的波長越小，就代表著光源越細(xì)，光刻電路也會越細(xì)，芯片的技術(shù)制程才能推進(jìn)一大步。

“目前，行業(yè)內(nèi)一共有兩種技術(shù)路線，尼康、佳能這些老牌公司，主張使用157納米的氟氣準(zhǔn)分子激光作為光源，全新的euvllc聯(lián)盟主張使用極紫外激光器技術(shù)，也就是euv光源，直接把技術(shù)路線迭代到十納米以下。但是……”

這兩種技術(shù)路線，都有嚴(yán)重缺陷！

波長越短的光，越容易被吸收！157納米的光源，會被大多數(shù)材料強烈吸收，以至于無法到達(dá)芯片上！只有二氟化鈣研磨的鏡頭可以勉強使用，但是這種材料做光學(xué)鏡頭，質(zhì)量太差，壽命也短。

至于euv光源，那就不用折射原理了，直接加反射鏡片，解決了透鏡吸收光源的問題，但是，這種光刻機屬于全新的產(chǎn)品，研發(fā)很難，而且，極紫外光的產(chǎn)生很困難，需要耗費大量的電力。

兩種技術(shù)路線，都有很大的問題，接下來用什么技術(shù)路線，非常關(guān)鍵！

“嗯，我們開辟新的賽道。”秦川說道：“我們在arf光刻機的基礎(chǔ)上，鏡頭和光源之間加一層水，通過水的折射作用，把193納米光源降低到134納米?！?

什么？

徐教授驚呆了，倪老也驚呆了。

這不是開玩笑嗎？在精密的光刻機鏡頭上，加一層水？

萬一這層水要是漏了，豈不是會讓光刻機壞掉？萬一水里有一個氣泡，豈不是會改變光線的路徑，從而導(dǎo)致整個硅片都報廢？

193納米以下光源技術(shù)，困擾了整個光刻機行業(yè)很多年！